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          8753ES 3G網絡分析儀-8753ES
          8753ES 3G網絡分析儀-8753ES
          產品價格:¥0(人民幣)
        1. 規格:8753ES
        2. 發貨地:深圳
        3. 品牌:
        4. 最小起訂量:1臺
        5. 免費會員
          會員級別:試用會員
          認證類型:未認證
          企業證件:未通過
          認證信息:未認證

          商鋪名稱:深圳市邁凱瑞儀器儀表有限公司

          聯系人:姚紅娟(小姐)

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          郵編:518000

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          商品詳情
            Agilent 8753ES | HP8753ES | HP-8753ES 3G/6GHz射頻矢量網絡分析儀安捷倫30kHz-3G/6GHz
            產品品牌: 安捷倫 | Agilent | 惠普 | HP
            產品型號: HP8753ES
            產品介紹: 8753ET和8753ES射頻網絡分析儀為滿足研制實驗室或生產制造的測試需求,在速度、性能和方便使用上提供了無與倫比的結合。8753ET和8753ES以其覆蓋3或6GHz頻率范圍的集成化S參數測試裝置、達110dB的動態范圍以及頻率掃描和功率掃描,為表征有源或無源網絡、元器件和子系統的線性和非線性特性提供了高效能的解決方案。

            產品系列的特點
            選擇傳輸/反射分析儀(ET型)或S參數分析儀(ES)允許您針對您的應用選擇性能與價格之間的最佳關系。網絡分析儀的特點是有2個獨立的測量通道,可同時測量和顯示所有4個S參數?梢赃x擇用幅度、相位、群延遲、史密斯圓圖、極坐標、駐波比或時域格式來顯示反射和傳輸參數的任意組合。便于使用的專用功能鍵能迅速訪問各個測量功能?梢岳眠_4個刻度格子在高分辨率的LCD彩色顯示器上以重疊或分離屏面的形式來觀察測量結果。為了驅動更大的外部監視器,以便于觀察,增加了與VGA兼容的輸出。
            測試時序功能允許一次鍵入來迅速、反復執行復雜的任務。在時序工作方式下,只需從面板測量一次,分析儀便能儲存鍵入,以致無需額外編程。還可以利用測試時序經并行或GPIB端口對外部裝置進行控制。
            為了測量混頻器,調諧器和其它頻率轉換器件,頻率偏置工作方式允許對網絡分析儀獨立于接收機調諧。分析儀很容易以固定中頻或掃描中頻測試方式完成變頻損耗、相位、群延遲和混頻器統調的測量1。
            功率計校準向對絕對輸入或輸出電平敏感的器件提供穩幅的絕對功率。8753ET/ES自動對436A,437B,438A E4418B或E4419B功率計進行控制,使在測試系統中任何處的功率都可調到具有功率計的精度,或將網絡分析儀接收機校準來進行精確的絕對功率測量。
            另一些高生產率特點包括支持LIF、DOS JPEG和逗點隔開的變量(CSV)格式的內置軟盤驅動器,非易失存儲器、串行和并行接口,DIN鍵盤接口以及對打印輸出和文件提供時間記錄的實時時鐘。還包括極限測試、任意頻率測試和標記跟蹤功能。通過利用列表掃描工作方式來選擇待測試的特殊頻率以及在每個頻率范圍設置獨立的中頻帶寬和功率電平,可以縮短測量時間。分段校準和內插誤差修正能提高分析儀已校頻率范圍的某一區段上的矢量精度。8753ET/ES與8753D/E為代碼兼容,因而無需修改現有軟件。
            利用選件010,能觀察在時域中的反射或傳輸響應。該分析儀對頻域數據的快速傅氏逆變換進行計算,以顯示反射系數或傳輸系數隨時間變化的關系。兩種時域分析方式能觀察器件的階躍響應或沖擊響應。定時選通可用來除去一些不希望的響應,如接頭失配,選通結果則可在時域或頻率中顯示。
               聯系人:姚小姐:電話13510169620    QQ:1946418560    廖先生13590256385  QQ:785298834

            S參數網絡分析儀與時域功能的結合,為調諧諧振腔帶通濾波器提供了簡單的確定性方法。將時域中的濾波器反射響應與適當調諧濾波器的響應進行比較,能揭示需要對哪些諧振器或耦合調節調諧。利用時域濾波器調諧,很容易為這一復雜任務培訓新人員,并大大簡化精細調諧和故障查找步驟。
            為了對器件進行更先進的表征,選件002增加了諧波測量功能?梢灾苯踊蛞韵鄬τ诨ǖ膁Bc數顯示放大器的掃描二次和總諧波電平。按動一個按鈕,即可測量達-40dBc的諧波。
            高穩定度的頻率基準(選件1D5)提高了對高Q器件,如表面
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